Technologie

Heteroepitaxie von Diamant auf Ir/YSZ/Si

Beim Verfahren der Augsburg Diamond Technology GmbH wird einkristalliner Diamant mittels chemischer Gasphasenabscheidung auf einem Fremdsubstrat (Heteroepitaxie) abgeschieden. Im Gegensatz zum weit verbreiteten Konzept der Homoepitaxie, bei der bereits ein Diamant geeigneter Größe als Saatkristall verfügbar sein muss, kommt bei dem neuen Verfahren das Schichtsystem Ir/YSZ/Si als Unterlage für das Wachstum zum Einsatz. Damit ist es erstmals möglich Diamant in einkristalliner Form auf Scheiben mit einem Durchmesser bis zu 100 mm zu synthetisieren.

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Ir/YSZ/Si-Wafer

Substrat zur heteroepitaktischen Diamantsynthese mit 100 mm Durchmesser: Iridium/ Yttriumoxid-stabilisiertes Zirkondioxid/Silizium

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Diamantwafer

Freistehende einkristalline Diamantscheibe mit 92 mm Durchmesser und 155 ct

Weiterführende Informationen:

Scientific Reports Article

Diamond Business